HX1M022120D SIC MOSFET

Part NO.HX1M022120D

VDS = 1200 V

ID(Tc=25℃) =91 A

RDS(on) =22 mΩ

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产品详情

中瑞宏芯碳化硅MOSFET产品覆盖650V-1700V电压等级并提供从20 mΩ-1Ω等多种规格，主要封装形式为TO247-3L、 TO247-4L及其他工业领域常见封装。SiC MOSFET以其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷。SiC的特性消除了开关期间的拖尾电流，使得操作更迅速并减少了开关损耗。

**SIC MOSFET选型表**
Product	VR(V)	PKG	ID(A) @100℃	Ron(mΩ) @25℃	Vth(V)
HX1M040065D	650	TO-247-3L	40	40	2.7
HX1M040065K	650	TO-247-4L	40	40	2.7
HX1M160120D	1200	TO-247-3L	10	160	2.7
HX1M160120K	1200	TO-247-4L	10	160	2.7
HX1M080120D	1200	TO-247-3L	28	80	2.9
HX1M080120K	1200	TO-247-4L	20	80	2.7
HX1M080120J	1200	TO-263-7L	20	80	2.7
HX1M040120D	1200	TO-247-3L	40	40	2.7
HX1M040120K	1200	TO-247-4L	40	40	2.7
HX1M040120J	1200	TO-263-7L	40	40	2.7
HX1M018120D	1200	TO-247-3L	75	18	2.7
HX1M018120K	1200	TO-247-4L	75	18	2.7
HX1M022120D	1200	TO-247-3L	57	22	2.8
HX1M022120K	1200	TO-247-4L	57	22	2.8
HX1M1000170D	1700	TO-247-3L	2	1000	2.7
HX1M1000170J	1700	TO-263-7L	2	1000	2.7

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